Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности предельно слоистых сверхпроводников ри п-тилов. Показано, что максимальные различия этих двух типов регистрируются в плоскости (0;0;0,5). Высказано предположение, что замена трехвалентного редкоземельного иона на четырехвалентный (например, Рг4+ или ТЬ4"*") может повысить значение Тс.
Home
![](/ps/933/article_14250_800_head.png "Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности предельно слоистых сверхпроводников <i>р</i>и п-тилов. Показано, что максимальные различия этих двух типов регистрируются в плоскости (0;0;0,5). Высказано предположение, что замена трехвалентного редкоземельного иона на четырехвалентный (например, Рг<sup>4</sup>+ или ТЬ<sup>4</sup>"*") может повысить значение <i>Т<sub>с</sub>.</i>")