Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 61 (1995) | ISSUE 9 | PAGE 738
Нелинейная проводимость трехмерной решетки кластеров GaAs в опале
Синтезирована трехмерная решетка кластеров GaAs (~ 500А) в матрице опала. На вольт-амперной характеристике (ΒΑΧ) системы обнаружены регулярно расположенные изломы, разделяющие практически прямолинейные участки. Эти особенности ΒΑΧ могут быть интерпретированы как результат последовательного открытия неупругих каналов с испусканием оптических фононов с энергией кванта, возрастающей .пропорционально квадрату номера ветви. Полученная структура может рассматриваться как трехмерная решетка наноструктур туннельных контактов, образованных благодаря появлению барьеров между кластерами (трехмерная нелинейная среда). При дальнейшем увеличении напряжения происходит переход в режим тока, ограниченного пространственным зарядом, сосредоточенным в примыкающих к разрывам участках матрицы SiO^.