Формирование спектров экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетичскими электронами
Батырев А.С., Новиков Б.В., Селысин А.В.
Детально исследована эволюция спектров экситонного отражения света кристаллов CdSc (Τ-4,2К) при облучении образцов "медленными" (2 кэВ) электронами. Установлен механизм формирования приповерхностного экситонного потенциала, обусловленный универсальной функцией энергетических потерь электронов.