Симметрия и анизотропия сверхпроводящей щели в слоистых купратах: анализ экспериментов по фотоэмиссии и влиянию дефектов на критическую температуру
Крашенинников А.В., Опёнов Л.А., Елесин В.Ф.
На основе результатов экспериментальных исследований поверхности Ферми и сверхпроводящей щели Δ в высокотемпературных сверхпроводниках методом фотоэмиссионной спектроскопии с угловым разрешением рассчитан параметр анизотропии χ, входящий в формулу для зависимости критической температуры Тс от концентрации дефектов. Показано, что предположение об анизотропном з-спаривании позволяет согласовать сильную угловую зависимость Δ в плоскости а — b с относительно слабой чувствительностью Те к атомному разупорядочению. При этом χ Λ5 0,1, что на порядок меньше, чем при d-спаривании (χ 1) и сильно анизотропном 5-спаривании (χ£ 1).