Спин-зависимая проводимость по дислокациям в Si
Кведер В.В., Осипьян Ю.А., Шалынин А.И.
В пластически деформированном кремнии при Τ = 1,4К обнаружено резонансное изменение дислокационной проводимости. Предполагается, что эффект связан с взаимодействием носителей тока с локализованными на дислокациях парамагнитными Ох-центрами,неизвестными ранее.