Глубокие акцепторные состояния в асимметричных системах квантовых ям в электрическом поле
Белявский В.И., Копаев Ю.В., Померанцев Ю.А., Шевцов С.В.
Существенное влияние электрического поля на энергии ионизации глубоких акцепторов в асимметричных системах квантовых ям обусловлено полевой зависимостью смешивания состоянии в подзонах тяжелых и легких дырок. Зависимость энергии ионизации от поля и положения примеси в структуре рассчитана в модели сильно локализованного потенциала.