Резонанс динамической дифференциальной проводимости на циклотронной частоте в Ga1-xAlxAs при баллистическом междолинном переносе электронов
Дзамукашвили Г.Э., Качлишвили З.С., Метревели Н.К.
Теоретически показано, что в материалах, подобных G»i_*AUAs, появляется резонанс на циклотронной частоте, β частотной зависимости динамической дифференциальной проводимости. Резонансная частота оказалась в области субмиллиметрового диапазона. Обсуждены и установлены условия возникновения такого резонанса. Системы такого рода могут быть применены для создания мазеров на циклотронном резонансе в субмиллиметровой области спектра.