Резонанс Фано в системе взаимодействующих электронов и фононов
Фальковский Л. А.
Рамановское рассеяние с возбуждением фонона рассматривается в условиях, когда оно обусловлено взаимодействием света с электронами проводимости. Линия имеет форму антирезонанса Фано. Учтена экранировка электрон-фотонного взаимодействия и деформационного потенциала за счет кулоновского взаимодействия электронов. Сравнением с экспериментом оценены параметры линии 350 см-1 и электрон-фононная константа в сверхпроводящем YBaCuO.