Сильная поляризация фотолюминесценции InxGa1-xP выращенного на плоскости (110) GaAs
Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Линькова Е.Р., Малкина И.Г., Сафьянов Ю.Н.
Обнаружена сильная линейная поляризация фотолюминесценции (ФЛ) из In»G»i„P (0,4*5 < * < 0,55), выращенного МОС-гидридной эпитаксией на плоскости (НО) GaAfДля объяснения поляризации ФЛ выдвинута гипотеза о новом типе упорядочения в Xa*Gai^«P. В упорядоченной фазе атомы Хд и G& располагаются ■ местах катионов не статистически, а в чередующихся попарно плоскостях (TlO), В ходе рентгенографических исследований были обнаружены сверхструктурные отражения, соответствующие двухслойной сверхрешетке (Ь*Р)г(ОаР)? с периодом ~ |А вдоль направления [ГЮ], что подтверждает нашу гипотезу,
|