Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 62 (1995) | ISSUE 4 | PAGE 324
Сильная поляризация фотолюминесценции InxGa1-xP выращенного на плоскости (110) GaAs
Обнаружена сильная линейная поляризация фотолюминесценции (ФЛ) из In»G»i„P (0,4*5 < * < 0,55), выращенного МОС-гидридной эпитаксией на плоскости (НО) GaAfДля объяснения поляризации ФЛ выдвинута гипотеза о новом типе упорядочения в Xa*Gai^«P. В упорядоченной фазе атомы Хд и G& располагаются ■ местах катионов не статистически, а в чередующихся попарно плоскостях (TlO), В ходе рентгенографических исследований были обнаружены сверхструктурные отражения, соответствующие двухслойной сверхрешетке (Ь*Р)г(ОаР)? с периодом ~ |А вдоль направления [ГЮ], что подтверждает нашу гипотезу,