Влияние рентгеновского облучения на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl
Альшищ В.И., Даринская Е.В., Казакова О.Л.
Предлагается новый метод исследования влияния рентгеновского облучения на спектр точечных дефектов в кристаллах. В основе метода лежит изучение магнитопластического эффекта в облученных кристаллах. Основная информация заключена в измеренных зависимостях среднего пробега дислокаций от частоты вращения образца в магнитном поле. Проведенные исследования на кристаллах NaCl продемонстрировали уникальную чувствительность метода к малым дозам облучения (начиная с 103 рад). Оказалось, что измеряемые частотные зависимости дислокационных пробегов реагируют как на изменение состояния существующих примесных центров, так и на создание собственных радиационных дефектов. Прослежена кинетика регенерации радиационных дефектов и метастабильных состояний примесных комплексов в результате освещения облученных образцов под вольфрамовой лампой в течение времени tj 15 — 60 мин.