Магнитная локализация носителей заряда в квантовых ямах полупроводниковой асимметричной двухъямной структуры
Скориков М.Л., Засавицкий И.И., Казаков И.П., Садофьев Ю.Г., Сибельдин Н.Н., Цветков В.А., Цехош В.И.
Обнаружено, что в магнитном поле, параллельном слоям квантово-размерной структуры, возгорается линия люминесценции, связанная со второй подзоной размерного квантования двухъямной системы. Эффект обусловлен магнитной локализацией носителей заряда в квантовых ямах, сопровождающейся ослаблением туннельной связи между ямами. Результаты для структуры с сильной туннельной связью между ямами удовлетворительно описываются простой полуколичественной моделью с параболическими ямами. На образце со слабо связанными ямами обнаружена немонотонная зависимость интенсивностей линий люминесценции от магнитного поля.