СТМ/СТС исследования низкоразмерных систем на примере молекулярных пленок ионообменного полимера
Маслова Н.С., Моисеев Ю.Н., Никаноров В.А., Савинов С.В., Юсупов Р.Г.
Приведены результаты исследования электронных свойств пленок Ленгмюра-Блоджетт ионообменного полимера методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС). Найдены области размером ~ 1000 А с упорядоченной структурой и зависимостью dI/dV(V) типа пик проводимости вблизи нуля смещений. Для этого случая обнаружена зависимость формы кривой dI/dV(V) от периода упорядоченной структуры. В случае, когда упорядоченность на поверхности пленки отсутствовала, наблюдалось расщепление пика проводимости на зависимости dI/dV(V) вблизи нуля смещений. Появлялась дополнительная энергетическая щель шириной ~ 40 мэВ, Предложена модель для объяснения этих эффектов.