Квазипороговый характер поглощения дальнего ИК света в квантовых ямах GaSb/InAs/GaSb
Дмитриев А.П., Емельянов С.А., Иванов С.В., Терентьев Я.В.
Обнаружено квазипороговое возрастание поглощения дальнего ИК света в полуметаллической квантовой яме GaSb/InAs/GaSb. Наблюдаемый эффект связывается с существованием в энергетическом спектре таких структур области квазитрехмерных электронных состояний, расположенной вблизи уровня Ферми. Предложенная модель подтверждается также сильней температурной зависимостью поглощения.