Рентгеновский источник на базе параметрического и переходного излучения электронов
Андреяшкин М.Ю., Забаев В.Н., Иошида К., Каплин В.В., Розум Е.И., Углов С.Р., Эндо И.
На Томском синхротроне "Сириус" проведено экспериментальное исследование нового типа источника жесткого (10—40КэВ) рентгеновского излучения, получаемого при пропускании 700 МэВ электронов через составную мишень (слоистая структура + кристалл). Показано, что для мозаичного кристалла интенсивность дифрагированного резонансного рентгеновского переходного излучения значительно превышает интенсивность параметрического рентгеновского излучения электронов. Анализируются угловые распределения этих излучений. Проведено сравнение спектральных плотностей переходного, дифрагированного переходного и параметрического рентгеновских излучений электронов.
Home
![](/ps/949/article_14488_800_head.png "<b>На Томском синхротроне "Сириус" проведено экспериментальное исследование нового типа источника жесткого (10—40КэВ) рентгеновского излучения, получаемого при пропускании 700 МэВ электронов через составную мишень (слоистая структура + кристалл). Показано, что для мозаичного кристалла интенсивность дифрагированного резонансного рентгеновского переходного излучения значительно превышает интенсивность параметрического рентгеновского излучения электронов. Анализируются угловые распределения этих излучений. Проведено сравнение спектральных плотностей переходного, дифрагированного переходного и параметрического рентгеновских излучений электронов.</b>")