Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 62 (1995) | ISSUE 10 | PAGE 775
Измерение распределения электронной температуры в 2Г-пинче методом поглощения лазерного излучения
Предлагается новый метод измерения электронной температуры внутренней области Z-пинча, основанный на лазерном зондировании плазмы. Метод основан на одновременном измерении профилей поглощения и интерференционного набега фазы зондирующего излучения внутри Z-пинча. Показано, что возникающая в экспериментах по лазерному зондированию непрозрачная область пинча связана с поглощением излучения, а не с его рефракцией на поперечных градиентах электронной плотности (как считалось ранее). Рефракция лазерного излучения не превышает угловой апертуры регистрирующей оптики и не может оказать влияния на формирование непрозрачной области на изображении центральной части пинча. Показано, что лазерное излучение прошедшее через Z-пинч, обладает достаточно высокой степенью когерентности, что позволяет провести интерферометрию области поглощения. В экспериментах с Z-пинчами, образованными при взрыве 20мкм алюминиевой проволочки 50 нс импульсом тока величиной ~ 250 кА, восстановлены значения электронной плотности и электронной температуры для перетяжки пинча ~ 1.4 ■ ΙΟ20»»-3 и ~ 530эВ, соответственно.