|
VOLUME 62 (1995) | ISSUE 10 |
PAGE 775
|
Измерение распределения электронной температуры в 2Г-пинче методом поглощения лазерного излучения
Саркисов Г.С., Этлишер Б.
![<b>Предлагается новый метод измерения электронной температуры внутренней области Z-пинча, основанный на лазерном зондировании плазмы. Метод основан на одновременном измерении профилей поглощения и интерференционного набега фазы зондирующего излучения внутри Z-пинча. Показано, что возникающая в экспериментах по лазерному зондированию непрозрачная область пинча связана с поглощением излучения, а не с его рефракцией на поперечных градиентах электронной плотности (как считалось ранее). Рефракция лазерного излучения не превышает угловой апертуры регистрирующей оптики и не может оказать влияния на формирование непрозрачной области на изображении центральной части пинча. Показано, что лазерное излучение прошедшее через Z-пинч, обладает достаточно высокой степенью когерентности, что позволяет провести интерферометрию области поглощения. В экспериментах с Z-пинчами, образованными при взрыве 20мкм алюминиевой проволочки 50 нс импульсом тока величиной ~ 250 кА, восстановлены значения электронной плотности и электронной температуры для перетяжки пинча ~ 1.4 ■ ΙΟ<sup>20</sup>»»<sup>-3</sup> и ~ 530эВ, соответственно.</b>](/ps/949/article_14489_800_head.png)
Предлагается новый метод измерения электронной температуры внутренней области Z-пинча, основанный на лазерном зондировании плазмы. Метод основан на одновременном измерении профилей поглощения и интерференционного набега фазы зондирующего излучения внутри Z-пинча. Показано, что возникающая в экспериментах по лазерному зондированию непрозрачная область пинча связана с поглощением излучения, а не с его рефракцией на поперечных градиентах электронной плотности (как считалось ранее). Рефракция лазерного излучения не превышает угловой апертуры регистрирующей оптики и не может оказать влияния на формирование непрозрачной области на изображении центральной части пинча. Показано, что лазерное излучение прошедшее через Z-пинч, обладает достаточно высокой степенью когерентности, что позволяет провести интерферометрию области поглощения. В экспериментах с Z-пинчами, образованными при взрыве 20мкм алюминиевой проволочки 50 нс импульсом тока величиной ~ 250 кА, восстановлены значения электронной плотности и электронной температуры для перетяжки пинча ~ 1.4 ■ ΙΟ20»»-3 и ~ 530эВ, соответственно.
|
|