Наблюдение смещения порога подвижности D--зоны кремния в электрическом поле по спектрам фотопроводимости
Мельников А.П., Гурвич Ю.А., Шестаков Л.Н., Гершензон Е.М.
Обнаружено, что спектр примесной фотопроводимости (ФП) легированного некомпенсированного кристаллического Si при гелиевых температурах, качественно меняется в электрических полях Е, превышающих критическое значение Ес. В частности, красная граница ФП, связанная с фотоионизацией нейтральной примеси, сильно смещается в сторону низких частот. Результат объясняется возникновением порога подвижности в Х?~-зоне (верхней зоне Хаббарда) и его смещением с ростом Е. PASC 72.20-i, 72.80-г
|