Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 63 (1996) | ISSUE 3 | PAGE 197
Фотогальванический эффект в асимметричной системе трех квантовых ям в сильном магнитном поле
В магнитных полях до 75 кЭ и температурном интервале от 4.2 К до 300 К исследован фотогальванический эффект (ФГЭ) в асимметричной нелегированной системе трех квантовых ям GaAs/AlGaAs при освещении белым светом разной интенсивности. Обнаружен предсказанный в работе [1] максимум спонтанного тока ФГЭ JPGB в зависимости от магнитного поля. Из анализа экспериментальных данных следует, что основной исходной характеристикой ФГЭ является не спонтанный ток, а электродвижущая сила EPGS, возникающая перпендикулярно приложенному магнитному полю. Установлено, что данная э.д.с. не зависит от мощности падающего света, линейно увеличивается с размером освещаемой области d и медленно спадает с температурой; Е^св ~ 0.8 В при 300 К и ~ 0.1 В при 4.2 К для d ~ 3 мм. Получен вид кривой EPGB(H) при комнатной температуре с учетом сильного поперечного магнитосопротивления наноструктуры.