JETP Letters: issues online

Изучены спектры ЯКР Си(2) в сверхпроводнике ТтВагСщОв при температурах от 300 до 4.2 К. Спектры обработаны в предположении, что линия ЯКР каждого изотопа содержит две компоненты гауссовой формы узкую (п) и широкую (Ь). Обнаружено, что частоты ЯКР имеют минимум при температуре Г* -150 К. Компоненты спектра имеют близкие частоты в области температур от Т* до 4.2 К, однако при Τ > Т* их частоты заметно расходятся. Обе компоненты уширяются при понижении температуры, однако это уширение происходит особенно быстро при Τ < Τ*. Относительная интенсивность узкой компоненты 1_п/(1_п + Д) равна 1/6 при Τ — 225 -г 160 К, скачком возрастает при Τ Г* и остается постоянной (1/3) при Г от 125 до 4.2К. Анализ экспериментальных данных показывает, что аномальная температурная зависимость спектров ЯКР Си(2) может быть следствием электронного фазового расслоения в плоскостях СиОг при Г < X*.