Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 63 (1996) | ISSUE 4 | PAGE 260
Обусловленный флуктуациями параметров эквидистантный спектр локализованных состояний в квантово-размерных структурах
В спектрах микрофотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AlxGai_xAs с тонкими барьерными слоями зарегистрированы узкие эквидистантные пики. Разработан приближенный метод расчета электронного спектра квантовых точек произвольной формы, состоящий в сведении трехмерной задачи к одномерной. На основе этого метода показано, что наблюдаемые пики могут быть следствием формирования в структурах с тонкими барьерами электронных состояний нового типа, обусловленных перекрытием флуктуаций толщин соседних ям. Эквидистантный спектр новых состояний объясняется близкой к квадратичной зависимостью поперечника областей перекрытия от координаты в плоскости слоев. PACS: 71.50.-ht, 73.20.Dx, 78.55.Cr