Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 82 (2005) | ISSUE 4 | PAGE 228
Четность и резкое расширение резонансных уровней в трехбарьерных структурах
Abstract
Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами получены выражения для резонансной активной высокочастотной малосигнальной проводимости и ширин резонансных уровней. Обнаружено, что если четность уровней, образующих общий резонансный уровень, в каждой из двухбарьерных структур - разная, то при определенном выборе параметров трехбарьерной структуры ширина общего уровня, а соответственно и интегральная проводимость всей структуры могут возрастать во много раз. Соответственно во много раз уменьшается и время жизни электронов на этом уровне, а значит, легко могут быть реализованы условия когерентного транспорта - ухода электронов из структуры без столкновения с фононами.