Четность и резкое расширение резонансных уровней в трехбарьерных структурах
А. Б. Пашковский
Научно-производственное предприятие "Исток", 141190 Фрязино, Московская обл., Россия
PACS: 73.40.-c
Abstract
Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими
высокими барьерами получены выражения для резонансной активной
высокочастотной малосигнальной проводимости и ширин резонансных уровней.
Обнаружено, что если четность уровней, образующих общий резонансный уровень,
в каждой из двухбарьерных структур - разная, то при определенном выборе
параметров трехбарьерной структуры ширина общего уровня, а соответственно и
интегральная проводимость всей структуры могут возрастать во много раз.
Соответственно во много раз уменьшается и время жизни электронов на этом
уровне, а значит, легко могут быть реализованы условия когерентного
транспорта - ухода электронов из структуры без столкновения с фононами.