Спектроскопия слоев InAs в GaAs в области перехода от слоевого к трехмерному росту
Звонков Б.Н., Линькова Е.Р., Малкина И.Г., Филатов Д.О., Чернов А.Л.
В образцах с непрерывно возрастающей эффективной толщиной напряженного слоя прослежены изменения спектров фотолюминесценции и фотоэлектрических явлений при переходе от слоевого к трехмерному росту с образованием квантовых точек.