Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 63 (1996) | ISSUE 7 | PAGE 523
Спектроскопия микроструктур GaAs/AlGaAs с субмикронным пространственным разрешением с помощью сканирующего микроскопа ближнего оптического поля
С помощью созданного сканирующего микроскопа ближнего оптического поля (SNOM) были исследованы полосы шириной от 1 до 5мкм на поверхности GaAs, содержащие слой квантовую яму толщиной 10 нм. Получена карта интенсивности фотолюминесценции синхронно с топографическим профилем структур. Измеренное пространственное распределение интенсивности фотолюминесценции удовлетворительно описывается в рамках модели, учитывающей диффузию носителей в слое и существование области с малым временем жизни вблизи боковых границ слоя. PACS: 73.61.-г