Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 63 (1996) | ISSUE 8 | PAGE 619
Особенности фано-типа в магнетопоглощении полупроводников
Показано, что в массивных полупроводниках в процессах магнетопоглощения с образованием горячих электронно-дырочных пар (ЭДП) и с учетом их рассеяния на дефектах возникают сильно асимметричные резонансные профили фано-типа. Полученный результат справедлив при переходах в электронные состояния с большими квантовыми числами Ландау, когда роль кулоновского взаимодействия мала. Физической причиной столь резкого изменения коэффициента магнетопоглощения по сравнению с ожидаемым результатом для обычной плотности состояний в квантующем магнитном поле является квазиодномерный характер электронных возбуждений. Форма резонансного поглощения находится в хорошем качественном согласии с экспериментальными данными. PACS: 78.20.Dj; 78.30.Fs; 71.20.-b; 72.10.Fk