Магнитопластический эффект и спин-решеточная релаксация в системе дислокация - парамагнитный центр
Альшиц В.И., Даринская Е.В., Казакова О.Л., Михина Е.Ю., Петржик Е.А.
Предсказан и обнаружен в кристаллах А1, NaCl и LiF пороговый уровень магнитной индукции Вс, при превышении которого в образцах, помещенных в магнитное поле, может наблюдаться магнитопластический эффект открепление дислокаций от парамагнитных стопоров. Существование порога связывается с тем, что при В < Ве время спин-решеточной релаксации т,( в системе дислокация парамагнитный центр оказывается меньше времени, необходимого для спиновой эволюции в магнитном поле, приводящей к снятию спинового запрета на электронный переход, "выключающий" взаимодействие дислокации со стопором. Показано, что пороговое поле Вс чувствительно к температуре и рентгеновскому облучению образцов. На основе полученных данных предложена новая методика измерения времени спин-решеточной релаксации в парамагнитных центрах на дислокациях. PACS: 61.82.-d, 62.20.Fe, 75.90,+w, 76.30.Da
|