Гигантская инверсия населенности горячих электронов в гетероструктурах типа GaAs/AlAs с квантовыми ямами
Алешкин В.Я., Андронов А.А.
PACS: 73.50.Fq
Рассмотрен разогрев электронов в гетероструктуре Ala-Gai-x As/GaAs {χ > 0.42) в латеральном (направленном вдоль гетерограниц) электрическом поле. Предсказано появление инверсии населенности подзон размерного квантования Г-долины GaAs и гигантской инверсии населенности между состояниями Х-долин Alj.Gai_a,As и Г-долин GaAs. Обсуждается возможность использования этих инверсий для осуществления стимулированного ИК излучения.