Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 68 (1998) | ISSUE 3 | PAGE 223
Свободные и локализованные положительно заряженные экситоны в спектре излучения GaAs/AlGaAs квантовых ям
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
Изучены спектры рекомбинационного излучения локализованного на нейтральном акцепторе экситонного комплекса ранее приписываемые положительно заряженному экситону Обнаружены и исследованы сателлиты основной линии люминесценции, связанные с процессами отдачи при рекомбинации комплекса, в которых оставшаяся после рекомбинации дырка находится в возбужденном состоянии. В рамках вычислительной модели, основанной на гамильтониане Латтинжера, показано, что энергетические расщепления между основной линией и сателлитами соответствуют расположению примесного центра в барьере на определенном расстоянии от ямы. Показано, что с увеличением магнитного поля наблюдается переход от синглетного основного состояния комплекса к мультиплетному.