Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 68 (1998) | ISSUE 5 | PAGE 392
Внутризонная инверсия населенности и усиление ИК излучения при инжекции носителей заряда в квантовые ямы и квантовые точки
PACS: 73.61.Ey, 78.66.-w
Предложен механизм получения внутризонной инверсии населенности электронов по уровням размерного квантования при инжекции электронно-дырочных пар в t-область гетероструктуры с квантовыми ямами или точками. Важными деталями механизма являются одновременная генерация межзонного (hi/ Eg) излучения ближнего ИК диапазона и наличие "метастабильного" уровня. В квантовых ямах такой уровень удается сформировать, используя слабое перекрытие волновых функций электронов на уровнях квантовой ямы сложной конфигурации и особенности взаимодействия электронов с оптическими фононами в полярных полупроводниках. В квантовых точках такой уровень образуется благодаря эффекту "фононного узкого горла1'. Проведены оценки коэффициента усиления излучения среднего ИК диапазона при внутризонных оптических переходах электронов.