Низкотемпературные (Т < 180К) релаксационные процессы и возможное "электронное разделение фаз" в монокристаллах RВа2Сu3О6+x (R=Y, Tm, Lu)
Лавров А.Н., Козеева Л.П.
В кислороднодефицитных монокристаллах тЗагСизОб+х (R-Y, Tm, Lu) обнаружены релаксационные эффекты в области низких (120-180К) температур. Изотермическая выдержка кристаллов после быстрого охлаждения приводит к увеличению их сопротивления. Определены характерные времена и энергия активации релаксационного процесса, Еа « 0.46эВ. Обсуждается возможная связь наблюдавшихся эффектов с явлением "электронного разделения фаз". PACS: 74.25.Dw, 74.25.Fy
Home
![](/ps/974/article_14846_800_head.png "В кислороднодефицитных монокристаллах тЗагСизОб<b>+х </b>(R-Y, Tm, Lu) обнаружены релаксационные эффекты в области низких (120-180К) температур. Изотермическая выдержка кристаллов после быстрого охлаждения приводит к увеличению их сопротивления. Определены характерные времена и энергия активации релаксационного процесса, <b><i>Е<sub>а</sub> </i></b>« 0.46эВ. Обсуждается возможная связь наблюдавшихся эффектов с явлением "электронного разделения фаз". PACS: <a href=\"http://74.25.Dw\">74.25.Dw</a>, <a href=\"http://74.25.Fy\">74.25.Fy</a>")