Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 63 (1996) | ISSUE 12 | PAGE 942
Наблюдение локализации LO-фононов в квантовых проволоках GaAs на фасетированной поверхности (311)А
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследовались особенности локализации оптических продольных фононов в латеральных сверхрешетках и квантовых проволоках GaAs/AlAs, выращенных на фасетированной поверхности (311)А GaAs. Наблюдалось уменьшение частот локализованных фононов при уменьшении средней толщины слоя GaAs с 21 до 15А. При дальнейшем уменьшении для значений толщины GaAs 11.3, 8.5 А был обнаружен эффект резкого увеличения частот локализованных фононов, связанный с формированием массива квантовых проволок. Рассчитанные в рамках модели двумерной цепочки значения частот совпадают с экспериментальными значениями, что позволяет интерпретировать возрастание частоты локализованных фононных состояний как результат квантования фононов в полученном массиве одномерных объектов. Полученные результаты свидетельствуют в пользу модели фасетирования поверхности (311 )А GaAs с высотой фасеток Ϊ0.2Α. PACS: 63.20.Pw