Диэлектрическое усиление магнитоэкситонов в приповерхностных квантовых ямах
Яблонский А.Л., Дзюбенко А.Б., Тиходеев С.Г., Кулик Л.В., Кулаковский В.Д.
Теоретически и экспериментально исследованы магнитоэкситоны в приповерхностных квантовых ямах InGaAs/GaAs в квантующем магнитном поле. Продемонстрирован эффект диэлектрического усиления экситона при уменьшении толщины барьерного слоя и количественно проанализирована его зависимость от величины магнитного поля для Isи 2л-состояний. PACS: 78.66.Fd