Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 64 (1996) | ISSUE 2 | PAGE 105
Ванье-штарковские резонансы в условиях сильной локализации в естественных карбид-кремниевых сверхрешетках
Проведено подробное экспериментальное исследование электронного транспорта в условиях ванье-штарковской локализации носителей в естественной сверхрешетке гексагональных политипов карбида кремния. Для исследования использованы политипы 4Н и 6Н, обладающие различными параметрами сверхрешетки и минизонного спектра. В результате прямых измерений зависимости электронного тока от среднего электрического поля в активной области образца обнаружен ряд областей отрицательной дифференциальной проводимости в диапазоне полей от 500 до 2100кВ/см. Анализ результатов позволяет заключить, что наблюдаемые токовые резонансы связаны с развитием процесса ванье-штарковского квантования и обусловлены такими механизмами проводимости, как прыжковая проводимость между уровнями ванье-штарковской лестницы, индуцированная резонансным электрон-фононным взаимодействием, и резонансное межминизонное туннелирование из первой минизоны во вторую. PACS: 72.20.Ht, 73.20.Dx