Заглубленный имплантированный слой в алмазе как источник баллистических фононов при гелиевых температурах
Галкина Т.Н., Шарков А.И., Клоков А.Ю., Бонч-Осмоловский М.М., Хмельницкий Р.А., Дравин В.А., Гиппиус А.А.
Показано, что имплантированный заглубленный слой в алмазе толщиной около 150 нм, возбуждаемый импульсным лазером на длине волны λ-337 им служит источником неравновесных акустических фононов, распространяющихся баллистически по образцу алмаза при температуре ~ 2 К. PACS: 44.30.+Ϊ