|
VOLUME 64 (1996) | ISSUE 8 |
PAGE 549
|
Упругий магнитопримесный резонанс в алмазоподобных полупроводниках (внутридолинное рассеяние)
Дикман С.М., Жилин В.М.
Исследуется рассеяние на возбужденном нейтральном доноре в Ge и Si в окрестности пересечения (в силу анизотропии эффективной массы) уровней энергии электронных состоянии примеси, рассматриваемых как функции магнитного поля. Пересечение 2*и 2р_-подобных уровней приводит к появлению отличного от нуля дипольного момврта примеснвго атома и, следовательно, дальнодействующего потенциала, приводящего к особенности в транспорте носителей тока. Рассчитана поперечная примесная проводимость. PACS: 72.20.Му
|
|