Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 64 (1996) | ISSUE 10 | PAGE 701
Обменные взаимодействия экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II: ОДМР и антикроссинг уровней
В сверхрешетках GaAs/AlAs типа II одновременно зарегистрированы два типа экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах и характеризующихся разными величинами обменных взаимодействий при одинаковых энергиях излучения. Показано, что дополнительная длинноволновая линия люминесценции в сверхрешетках, выращенных с прерываниями роста после слоев GaAs, обусловлена рекомбинацией экситона, локализованного на инвертированном интерфейсе в областях с увеличенной на монослой шириной квантовой ямы. PACS: 73.20.-r; 76.70.Hb; 78.66.Fd