Проявление экситонных эффектов в магнитоосцилляциях интенсивности рекомбинационного излучения двумерных электронов
Волков О.В., Житомирский В.Е., Кукушкин И.В., фон Клитцинг К., Эберл К.
Исследованы температурные зависимости магнитоосцилляций рекомбинацион-ного излучения двумерных электронов из фотовозбужденной подзоны размерного квантования в GaAs/AlGaAs одиночной квантовой яме. Показано, что при высоких температурах (Τ > 10К) период осцилляций определяется отношением энергии межподзонного расщепления и суммарной циклотронной энергии электронов и дырок. При понижении температуры (Τ < 5К) обнаружено возникновение новой серии осцилляций (того же периода, но с большим сдвигом по фазе), которые связаны с возникновением экситонных состояний под уровнями Ландау. PACS: 73.40.Hm