Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 65 (1997) | ISSUE 1 | PAGE 86
Локальные поверхностные сегрегации имплантированного алюминия в слабодефектном кристалле железа
Методом сканирования микропучка протонов с энергией ЗМэВ вдоль поверхности образца ОЦК-Fe, имплантированного ионами алюминия в интервале доз (1-Ь 50) ■ 10|6см~2, изучено поверхностное распределение элементов. Обнаружены кольцеобразные области диаметром до ЗОмкм с повышенной концентрацией алюминия, которые проявляются при дозах имплантации (5-г20)· 10'6 см-2. Возникновение данных областей обусловлено процессами радиационно-стимулированной сегрегации. Предложен механизм процессов сегрегации имплантированной примеси, основанный на существовании в исходном кристалле невысокой плотности дислокаций. Ρ ACS: 68.55.-a, 81.15.-z