Фоноритонная перестройка дисперсионной кривой поляритонов в CdS
Выговский Г.С., Голубев Г.П., Жуков Е.Л., Фомичев А.Л., Якшин М.Л.
В полупроводниках CdS (Τ = 5 К) в области малых коэффициентов экситонного поглощения в присутствии мощной световой волны накачки экспериментально зарегистрировано уменьшение коэффициента пропускания на частоте, большей частоты волны возбуждения на величину оптического фонона. Обнаруженное изменение, вероятно, является следствием фоноритонной перестройки дисперсионной кривой поляритонов под действием интенсивного возбуждения.