|
VOLUME 65 (1997) | ISSUE 4 |
PAGE 333
|
Переход металл-изолятор в аморфном Si1-cMnc, полученном ионной имплантацией
Якимов А.И., Двуреченский А.В.
Исследован переход металл изолятор (ПМИ), стимулированный изменением концентрации примеси Μη, в материале с топологическйм беспорядком аморфном Sil-cMnc. Обнаружено, что в окрестности критической точки изменения радиуса локализации, диэлектрической проницаемости и проводимости осуществляются степенным образом в соответствии с масштабной теорией локализации. Определены критические индексы. Делается вывод о том, что основные закономерности ПМИ в неупорядоченных системах не зависят от типа беспорядка и носят универсальный характер. PACS: 71.30.+h
|
|