Генерация когерентных состояний экситонов в полупроводниках за счет рекомбинации свободных носителей
Ораевский А.Н.
Показано, что современное состояние экспериментальной техники позволяет генерировать когерентный бозе-конденсат экситонов в полупроводниках за счет прямой рекомбинации электронов из зоны проводимости и дырок из валентной зоны. PACS: 71.35.Lk