Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 3 | PAGE 201
Квантовые поправки к проводимости пленок n-GaAs в сильном магнитном поле
PACS: 73.50.Jt
Экспериментально изучена проводимость пленок легированного n-GaAs в зависимости от магнитного поля и температуры в сильных магнитных полях вплоть до квантового предела (Ншс = Ер). Холловская проводимость Gxy практически не зависит от температуры Τ до тех пор, пока поперечная проводимость Gxx достаточно велика по сравнению с е2/Л. В сильных полях, когда Gxx становится сравнимо с e2/h, Gxy начинает зависеть от Т. Разность проводимостей Gxx при двух температурах 4.2 и 0.35 К лишь слабо зависит от магнитного поля Η в широком диапазоне магнитных полей, в то время как Gxx сильно меняются. Результаты объясняются квантовыми поправками к проводимости за счет электрон-электронного взаимодействия в диффузионном канале. Обсуждается возможность квантования холловской проводимости за счет электрон-электронного взаимодействия.