Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 3 | PAGE 207
Трансформация размерности экситонных состояний в квантовых ямах с несимметричными барьерами в электрическом поле
PACS: 71.50.+t, 73.20.Dx, 78.55.Cr
В структурах одиночных квантовых ям GaAs/AlxGai-sAs с асимметричными барьерами обнаружена 2D-3D трансформация размерности экситонных состояний с ростом внешнего электрического поля. В обширной области изменения поля энергия связи 2D экситона остается постоянной, так как ее уменьшение компенсируется все большим проникновением электронной волновой функции в барьерный слой, где за счет большей эффективной массы и меньшей диэлектрической проницаемости AlGaAs по сравнению с GaAs энергия связи экситона выше. Когда максимум электронной волновой функции при увеличении поля смещается в барьер, энергия связи экситона уменьшается. При дальнейшем росте поля происходит трансформация 2D экситона в квази-ЗО экситон, в состав которого входят тяжелая дырка в квантовой яме и электрон резонансного надбарьерного состояния.