Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 4 | PAGE 256
Спонтанное излучение дальнего ИК диапазона при переходах носителей заряда между уровнями квантовых точек
Обнаружено спонтанное излучение дальнего инфракрасного диапазона (Λ 9έ й 1О...20мкм) из диодных структур с вертикально связанными InGaAs/AlGaAs квантовыми точками, обусловленное переходами дырок и электронов между уровнями размерного квантования в квантовых точках, а также с переходами из континуума на уровень в квантовой точке. Такое излучение наблюдается только при одновременной генерации межзонного коротковолнового (λ 0.94 мкм) лазерного излучения и, как и коротковолновое излучение, имеет пороговый характер so току. Спонтанное длинноволновое излучение обнаружено также в лазерных InGaAs/GaAs структурах с квантовыми ямами. Интенсивность этого излучения примерно на порядок слабее, чем в структурах с квантовыми точками. Порог по току у него отсутствует.