|
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 4 |
PAGE 256
|
Спонтанное излучение дальнего ИК диапазона при переходах носителей заряда между уровнями квантовых точек
Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Тулупенко В.Н., Шерняков Ю.М., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алферов Ж.И.
PACS: 42.55.Px, 78.66.-w
Обнаружено спонтанное излучение дальнего инфракрасного диапазона (Λ 9έ й 1О...20мкм) из диодных структур с вертикально связанными InGaAs/AlGaAs квантовыми точками, обусловленное переходами дырок и электронов между уровнями размерного квантования в квантовых точках, а также с переходами из континуума на уровень в квантовой точке. Такое излучение наблюдается только при одновременной генерации межзонного коротковолнового (λ 9ί 0.94 мкм) лазерного излучения и, как и коротковолновое излучение, имеет пороговый характер so току. Спонтанное длинноволновое излучение обнаружено также в лазерных InGaAs/GaAs структурах с квантовыми ямами. Интенсивность этого излучения примерно на порядок слабее, чем в структурах с квантовыми точками. Порог по току у него отсутствует.
|
|