Одномерная локализация в пористом a-Si1-cMnc
Якимов А.И., Двуреченский А.В., Дравин В.А., Проскуряков Ю.Ю.
PACS: 72.15.Rn
Исследована температурная зависимость проводимости пористого аморфного кремния, легированного марганцем до концентраций, соответствующих металлической стороне перехода Андерсона. Обнаружено, что в области температур ниже Τ = 40 60 К проводимость падает при понижении Τ по закону G(T) ос Т"1/3. Такое поведение соответствует одномерной локализации электронов в кремниевых нитях в условиях неупругих электрон-электронных столкновений с малой передачей энергии.
Home
![](/ps/998/article_15179_800_head.png "Исследована температурная зависимость проводимости пористого аморфного кремния, легированного марганцем до концентраций, соответствующих металлической стороне перехода Андерсона. Обнаружено, что в области температур ниже <i>Τ </i>= 40 60 К проводимость падает при понижении <i>Τ </i>по закону <i>G(T) </i>ос Т"<sup>1</sup>/<sup>3</sup>. Такое поведение соответствует одномерной локализации электронов в кремниевых нитях в условиях неупругих электрон-электронных столкновений с малой передачей энергии.")