Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 5 | PAGE 334
Лазерная спектроскопия неупругого электронного рассеяния света в ближней инфракрасной области спектра на переходах между основными и возбужденными состояниями акцепторных центров в кристаллах GaAs и InP
Сообщается о разработке методики для регистрации низкотемпературных (Т = = 6 К) спектров неупругого рассеяния света в ближней ИК области и об обнаружении электронного рассеяния на переходах 1в$/2(Гъ) 2в3/2(Г8) между основными и возбужденными состояниями различных мелких акцепторных центров в полуизолирующем кристалле si-GbAs с η-типом проводимости (п = 1.0-10® см~3) и в легированном кристалле р-1пР (р = 3.6 · 1017 см-3). Более того, в спектре p-ΙηΡ в полосе остаточных частот между ТО(Г)и ЬО(Г)-фононами обнаружена новая линия, связанная с переходом 1β3/2(Γβ) -> 2рз/2(Гв) и обусловленная проявлением диэлектрической локальной моды, впервые регистрируемой в спектрах узкозонных полупроводников.