Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 82 (2005) | ISSUE 10 | PAGE 734
Термоактивационная отрицательная фотопроводимость ниже 6 К в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As; влияние одноосного сжатия
PACS: 73.40.Hb
Abstract
В гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As:Be обнаружена термоактивационная отрицательная фотопроводимость, которая возникает при облучении красным светом, существует ниже 6 К и сопровождается сильным падением концентрации и подвижности 2D дырок в квантовой яме с понижением температуры, особенно в условиях одноосного сжатия. Показано, что это явление хорошо количественно описывается существованием на расстоянии около 7 нм от гетерограницы слоя глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера E_B= 3.0\pm 0.5 мэВ, который не меняется с деформацией. Предполагается, что такими ловушками могут быть диффундирующие из активного слоя атомы акцепторной примеси Be, находящиеся в межузельном пространстве.