Дробные особенности в осцилляциях магнетосопротивления двумерных электронных систем под облучением
И. В. Печенежский, С. И. Дорожкин, И. А. Дмитриев*
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
*Institut für Nanotechnologie, Forschungszentrum Karlsruhe, 76021 Karlsruhe, Germany
PACS: 73.40.-c, 73.43.-f
Abstract
Вычислено магнетосопротивление двумерных электронных
систем под микроволновым облучением, демонстрирующее
осцилляционные особенности при дробных значениях отношения
круговой частоты микроволнового излучения к циклотронной частоте
ω/ω c. Расчет позволяет объяснить имеющиеся
экспериментальные результаты неравновесным заполнением электронных
состояний, возникающим вследствие однофотонных процессов, и
предсказывает значения ω/ω c, вблизи которых
ожидаются основные особенности в магнетосопротивлении. В рамках
исследуемого механизма дробные особенности могут наблюдаться
только в режиме, переходном от сильно перекрывающихся к
разделенным уровням Ландау, и только на частотах излучения ниже
пороговых частот, зависящих от величины дроби.