Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 (2007) | ISSUE 5 | PAGE 360
Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках
PACS: 51.50.+v, 52.35.-g, 72.20.Ht, 85.30.Mn
Abstract
Предложено обобщение известной теории стационарных плоских волн ударной ионизации в газах (U. Ebert et al., Phys. Rev. E 55, 1530 (1997)) на биполярный случай, характерный для полупроводников, где среду ионизуют горячие носители заряда обоих знаков. Вследствие этого скорость u биполярных волн (в отличие от монополярных) определяется процессами в лидирующей области фронта при любых отличных от нуля скоростях ударной ионизации вне зависимости от направления распространения. Это свойство позволило получить аналитические формулы для u как функции параметров материала, начального возмущения и напряженности внешнего поля путем анализа краевой задачи, линеаризованной вблизи неустойчивого состояния. В максимально достижимых полях (например, в стримерах) диффузия должна приводить к увеличению u примерно в три раза по сравнению со средней скоростью дрейфа при типичных значениях параметров полупроводников.