Фотогальванический эффект в ферромагнетиках с некомпланарным распределением намагниченности
А. А. Фраерман, О. Г. Удалов
Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PACS: 72.25.Ba,72.40.+w
Abstract
Предсказан фотогальванический эффект (ФГЭ),
возникающий в ферромагнитных материалах. ФГЭ заключается в
возникновении постоянного электрического тока в ферромагнитном
образце под действием высокочастотного переменного электрического
поля. Построена феноменологическая теория фотогальванического
эффекта в ферромагнетиках и предложена простейшая микроскопическая
модель, поясняющая возникновение фотогальванического эффекта в
среде с геликоидальной магнитной структурой. Причиной
возникновения ФГЭ является нарушение симметрии по отношению к
обращению направления движения электрона в среде с некомпланарным
распределением намагниченности.