Кулоновские краевые состояния в 2D электронных системах
В. Шикин, С. Назин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
PACS: 73.20.-r
Abstract
Обсуждаются детали структуры краевых электронных состояний в
ограниченных 2D заряженных системах (электронных или дырочных),
связанные с участием в их формировании неоднородностей электронной
(дырочной) плотности кулоновского происхождения. Показано, что на
резких краях различных 2D систем (в корбино- и прямоугольных
геометриях) кулоновские эффекты приводят к заметному уширению
традиционных краевых магнитных уровней. В рамках этого же
формализма предложен пороговый механизм возникновения
целочисленных "полок" в центральной части экранированных 2D
систем. Полученные результаты сравниваются с имеющимися
экспериментами.