Топологические связанные состояния
А. А. Горбацевич, М. Н. Журавлев*
Санкт-Петербургский физико-технологический НОЦ РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
*Московский государственный институт электронной техники, 124498 Москва, Россия
PACS: 71.23.An
Abstract
В приближении сильной связи показано, что в ветвящихся
молекулах и квантовых проводниках существует особый тип
электронных состояний, локализованных в окрестности точки
изменения топологии. Связанные состояния данного типа присутствуют
как снизу, так и сверху разрешенной зоны, то есть как для электронов,
так и для дырок, что принципиально отличает их от связанных
состояний, образующихся в минимуме потенциальной энергии.
Декремент затухания волновой функции не зависит от зонных
параметров и представляет собой инвариант, определяемый
характеристикой топологии. Туннельное взаимодействие
топологических связанных состояний существенным образом определяет
изменение электронного спектра молекулярных систем при
конфигурационных переходах.